我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW20N65M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效与低温运行的功率开关吗？STW20N65M5正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压和18A的强大电流通过能力，基于ST先进的MDmesh V技术打造，能显著降低开关过程中的能量损耗。

它能让您的电源转换或电机驱动设计事半功倍。其优化的190毫欧导通电阻帮助减少传导发热，而仅45nC的低栅极电荷则让开关动作更快、更干净，从而轻松提升系统整体能效。采用坚固的TO-247通孔封装，确保出色的散热性能，让您的设备在严苛环境下也能稳定持久地工作。

• 型号:STW20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。