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还在为功率转换电路的效率和温升烦恼吗？STF26N65DM2正是您期待的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh DM2家族的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和20A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的190毫欧导通电阻与优化的栅极电荷特性。这意味着它能显著降低开关和传导损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，并让散热设计变得更加轻松。

它专为要求苛刻的高效开关应用而生，如开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)和电机控制。优异的性能让您能够设计出更紧凑、更可靠的产品。同时，其TO-220FP绝缘封装简化了安装流程，增强了安全性。选择STF26N65DM2，就是选择了一个让您高效实现高性能设计目标的可靠伙伴。

• 型号:STF26N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF26N65DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。