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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任，同时保持冷静与高效的核心开关吗？STW16NM50N正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借500V的高压耐受和15A的电流吞吐能力，让您能轻松驾驭从工业电源到高端家电变频器的严苛应用。

它的核心魅力在于极低的能量损耗。得益于MDmesh II技术，其导通电阻低至260毫欧，配合优化的栅极电荷，能大幅降低导通与开关过程中的热量产生。这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更高效，直接将省下的电能转化为产品的性能优势或用户的成本节约。选择它，就是为您的设计注入了一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STW16NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW16NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。