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还在为高压电源设计的效率与散热难题寻找答案吗？STI6N90K5就是您期待的高性能解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和6A的电流处理能力，其超低的导通电阻能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为应对严苛环境而设计，工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散可达110W，配合坚固的I2PAK封装，确保在工业电机驱动、大功率开关电源等应用中表现稳定可靠。选择STI6N90K5，意味着您选择了更优的能效、更强的鲁棒性和更简化的热管理设计，从而轻松提升终端产品的整体竞争力与市场价值。

• 型号:STI6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STI6N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。