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还在为电源转换效率难以突破而困扰吗？让STL51N3LLH5为您带来改变！这颗30V/51A的N沟道功率MOSFET，凭借其极低的导通电阻和出色的开关特性，能显著降低您的系统功耗与发热，让电能转换更加高效纯净。

它采用先进的STripFET V技术和紧凑的PowerFlat封装，让您能在有限的空间内实现强大的功率处理能力，轻松应对同步整流、电机驱动及各类DC-DC转换器的严苛要求。其优化的动态参数有助于简化您的驱动设计，提升系统可靠性，是您打造高性能、高密度电源解决方案的理想选择。

• 型号:STL51N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 6.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:724 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL51N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。