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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效与可靠的核心功率开关吗？STW16N65M5正是为此而生。这颗650V/12A的N沟道MOSFET，采用ST先进的MDmesh V技术，能显著降低导通和开关损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高、发热更少。

它拥有低至279毫欧的导通电阻和优化的动态参数，让您能够轻松驱动，实现快速、干净的开关动作。其坚固的TO-247封装和高达150°C的结温能力，确保了在严苛环境下的长久稳定运行，是提升产品功率密度和可靠性的理想选择。

• 型号:STW16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:279 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW16N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。