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还在寻找能扛起大电流重任又保持冷静的功率开关吗？STH320N4F6-2正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达200A的电流处理能力和仅1.3毫欧的超低导通电阻，能显著降低系统在开关和导通状态下的能量损耗，让您的电源设计或电机驱动方案效率飙升，运行更凉爽。

它采用先进的STripFET VI和DeepGATE技术，配合HPAK封装，不仅开关速度快、驱动简单，更能高效散热，轻松应对300W的功率挑战。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和符合汽车级AEC-Q101的标准，确保它在电动汽车、工业自动化等要求严苛的应用中稳定可靠，助您轻松打造高性能、高可靠性的终端产品。

• 型号:STH320N4F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:240 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13800 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
• STH320N4F6-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。