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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任的功率开关吗？STP11NM60N正是为您而来的解决方案。这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和10A的电流处理能力，其核心价值在于让您的电源转换或电机驱动应用实现极高的效率。低至450毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，意味着更少的能量损耗和更快的开关速度，直接为您带来更低的温升和更高的系统可靠性。

它封装在经典的TO-220AB中，安装简便，散热优异，能轻松应对高达90W的功率耗散。无论是用于升级现有设计，还是作为经典方案的可靠之选，STP11NM60N都能让您以成熟的方案，高效地达成稳定、强劲的功率控制目标。

• 型号:STP11NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。