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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，且效率出众的功率开关吗？STW57N65M5-4正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道MOSFET，拥有650V/42A的强悍规格，其核心使命就是让您的电源或电机驱动系统运行得更冷静、更高效、更可靠。

它通过极低的导通电阻和优化的动态特性，大幅削减开关与传导损耗，直接帮助您提升系统能效，降低散热需求。无论是用于设计紧凑型高性能电源，还是驱动高功率电机，它都能让您轻松应对挑战，实现更优的功率密度与稳定性，简化您的热管理设计，加速产品上市进程。

• 型号:STW57N65M5-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4L
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4L
• 封装/外壳:TO-247-4
• STW57N65M5-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。