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还在为高电流开关应用中的发热和效率损失头疼吗？让STD150NH02LT4来为您解决！这颗N沟道MOSFET是您实现高效能量控制的秘密武器。它能轻松承载高达150A的连续电流，同时凭借仅3.5毫欧的超低导通电阻，大幅降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体能效。

它专为24V系统优化，拥有5V的低驱动门槛和快速的开关特性，让您的电路设计更简洁，响应更迅捷。无论是用于构建高效的同步整流电路、驱动大功率电机，还是作为关键负载开关，STD150NH02LT4都能让您的工作温度更低，运行更稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STD150NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 150A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD150NH02LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。