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想象一下，您需要一颗能同时驾驭550V高压和14A大电流的“能量开关”，它必须反应迅速、损耗极低，并且坚不可摧。这正是STW14NM50的使命。这颗来自意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，专为高效功率转换而优化。

它能为您做什么？其核心价值在于极低的导通电阻（仅350毫欧）和超快的开关特性（栅极电荷仅38nC），这直接转化为更低的传导与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。无论是提升工业设备的能效，还是构建更紧凑可靠的太阳能逆变器，它都能让您的设计轻松应对严苛挑战，在性能和可靠性之间找到完美平衡点。

• 型号:STW14NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:175W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW14NM50，ST（意法半导体）产品一站式供应商。