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您正在寻找一颗能同时征服高电压与高效率挑战的功率开关吗？STL13N60DM2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和仅8A的连续漏极电流能力，其核心魅力在于低至370毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用创新的PowerFlat HV表面贴装封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了出色的散热性能。更低的栅极电荷（19nC）让开关速度更快，驱动更轻松，帮助您轻松提升系统开关频率，优化整体设计。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，STL13N60DM2都能让您的产品设计如虎添翼。

• 型号:STL13N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:370 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:730 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL13N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。