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您是否正在寻找一颗能够轻松驾驭600V高压、30A大电流的功率开关？STW26NM60正是为您的高要求应用而设计。它基于意法半导体先进的MDmesh技术，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您能够从容构建高性能的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路以及电机驱动逆变器。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于实现更快的开关速度，减少开关损耗，从而提升整体系统能效。高达313W的耗散功率和坚固的TO-247封装，确保了其在严苛环境下的长期可靠运行。

• 型号:STW26NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:135 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:102 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:313W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW26NM60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。