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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、大电流挑战的功率开关吗？STW13NK50Z正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有500V的漏源电压和11A的连续漏极电流能力，结合其SuperMESH技术的低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对工业电源、UPS、电机控制等高要求应用。高达140W的功率处理能力和宽广的工作温度范围，确保了其在恶劣环境下的卓越可靠性和长久寿命。选择STW13NK50Z，就是为您的核心设计注入一份强大的动力与安心保障。

• 制造商产品型号：STW13NK50Z
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SuperMESH
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：480 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：47nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1600pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：140W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247-3
• STW13NK50Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。