我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） SCTW90N65G2V现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为提升电源转换效率而绞尽脑汁吗？SCTW90N65G2V这颗基于碳化硅技术的N沟道功率FET，正是您期待的解决方案。它凭借650V的高耐压和90A的强大电流处理能力，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源设计轻松突破效率瓶颈，运行得更凉爽、更安静。

这颗芯片能为您做什么？它让您在高功率应用如工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电模块中，实现更高的功率密度和更快的开关频率。其低至25毫欧的导通电阻和优化的栅极驱动特性，意味着更少的能量浪费为热量，更高的系统可靠性。选择它，就是选择以更高效的能源利用，赢得市场竞争的先机。

• 型号:SCTW90N65G2V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 90A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 50A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:157 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCTW90N65G2V，ST（意法半导体）产品一站式供应商。