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您正在寻找一颗能轻松驾驭1200V高压、高效完成功率开关任务的“心脏”吗？STGD5NB120SZ-1正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的IGBT，凭借其10A的电流处理能力和仅2V的低导通压降，能显著降低系统运行中的能量损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。

它集成了PowerMESH技术的优势，开关响应迅速，能确保您的变频驱动或电源系统实现精准、平滑的功率控制。高达75W的功率处理能力和宽泛的工作温度范围，让您即使在严苛的工业环境中也能高枕无忧。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的可靠性与卓越性能。

• 型号:STGD5NB120SZ-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 10A TO-251
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A
• 功率 - 最大值:75 W
• 开关能量:2.59mJ（导通），9mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:-
• 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1s
• 测试条件:960V，5A，1 千欧，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• STGD5NB120SZ-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。