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还在为高压电源转换的效率与发热问题烦恼吗？STW12NK80Z正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和10.5A的电流处理能力，其核心使命就是让您的设计更高效、更凉爽、更可靠。

它通过极低的导通电阻显著减少功率损耗，配合优化的动态参数，能帮助您轻松提升开关电源的能效等级。无论是驱动电机还是构建高密度电源模块，STW12NK80Z都能让您游刃有余，在-55°C到150°C的宽广温度范围内稳定输出，确保您的终端产品在各种环境下都表现出色。

• 型号:STW12NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 5.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW12NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。