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还在为高压电源设计的效率瓶颈而烦恼吗？STW10N95K5正是为您破局而来的利器。这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有950V的高耐压和8A的强电流处理能力，能轻松胜任严苛的开关任务。它的核心价值在于让您的高压应用运行得更冷静、更高效。

通过将导通电阻显著降低，它大幅减少了功率损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统能效。同时，优化的开关特性让您的设计可以工作在更高频率，从而有可能使用更小、更轻的磁性元件，助力您实现产品的小型化与轻量化。选择STW10N95K5，就是为您的产品注入了ST原厂的可靠基因与卓越性能，让复杂的高压功率管理变得简单而强大。

• 型号:STW10N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 8A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW10N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。