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您是否渴望为您的功率转换系统找到一颗既能扛住高压冲击，又能保持冷静高效的核心？STGW8M120DF3正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的沟槽型场截止IGBT，凭借1200V的高耐压和16A的电流能力，让您能轻松应对工业驱动、太阳能逆变器等中高功率应用的严苛要求。

它的卓越之处在于，将低至2.3V的导通压降与优化的开关特性完美结合，显著降低了导通与开关损耗。这意味着您的系统能效更高，发热更少，运行更稳定可靠。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和坚固的TO-247封装，确保了它在各种挑战性环境下的持久耐力。选择它，就是选择了一条通往更高性能、更优能效的便捷之路。

• 型号:STGW8M120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO-247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A
• 功率 - 最大值:167 W
• 开关能量:390J（导通），370J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:32 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns
• 测试条件:600V，8A，33 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):103 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW8M120DF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。