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还在为高压应用中的开关损耗和可靠性头疼吗？让STP3NK100Z来改变这一切！这颗来自意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，拥有高达1000V的击穿电压和2.5A的连续电流能力，专为要求苛刻的高压开关场景而优化。

它的核心价值在于，通过先进的芯片技术，在您的高频开关电源、PFC或电机驱动电路中，实现更低的导通损耗和更快的开关速度。这意味着您能轻松获得更高的系统效率、更小的散热器尺寸以及更优的电磁兼容性。其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您的产品在各种环境下都能稳定高效地运行，大幅提升整体可靠性。

• 型号:STP3NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3NK100Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。