我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STV160NF02LAT4现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要处理超大电流的同步整流、电机驱动或负载开关电路吗？STV160NF02LAT4正是为您而生的利器。这颗N沟道MOSFET能轻松承载高达160A的持续电流，而其惊人的2.7毫欧超低导通电阻，意味着在您的大功率应用中，电能损耗将被降至最低，系统发热更少，效率显著提升。

它采用先进的STripFET技术，在仅需5V或10V的驱动电压下就能发挥最佳性能，让您的驱动电路设计变得异常简单。同时，优化的栅极电荷和电容特性确保了快速、干净的开关动作，让您轻松实现高频高效的电能转换。无论是提升现有产品的能效等级，还是攻克新的高功率密度设计挑战，选择它，就是选择了可靠、高效与卓越。

• 型号:STV160NF02LAT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:175 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• STV160NF02LAT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。