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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，并保持超低损耗的功率开关吗？STW68N65DM6-4AG正是为此而生。这颗采用先进MDmesh技术的汽车级MOSFET，拥有650V耐压和72A的强劲电流处理能力，其核心价值在于让您的电源或电机驱动系统运行得更“冷静”、更高效。

它通过仅39毫欧的超低导通电阻，大幅削减导通损耗，直接提升系统整体能效。同时，优化的开关特性帮助您轻松应对高频应用，减少开关损耗和电磁干扰。无论是提升功率密度，还是增强系统在严苛环境下的可靠性，它都是您实现设计目标的得力助手。

• 型号:STW68N65DM6-4AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:39 毫欧 @ 36A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:118 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:480W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• STW68N65DM6-4AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。