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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性与出色性价比的功率开关管吗？STU16N65M2正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体MDmesh M2家族的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和11A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗。

这意味着，在您的AC-DC电源、电机控制或PFC电路中，它能帮助您轻松提升整体能效，减少散热需求，从而让您的终端产品更节能、更紧凑、运行更稳定。其宽泛的工作温度范围和坚固的封装，确保它能在各种挑战性环境中持久服役，让您设计起来更安心，产品竞争力更强。

• 型号:STU16N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:718 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU16N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。