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还在为寻找一颗能兼顾高耐压、高效率与高可靠性的功率开关而费神吗？STULED625正是您期待的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有620V的强劲耐压和5A的持续电流能力，能轻松成为您开关电源、电机控制或LED驱动电路中的核心开关元件。

它最大的魅力在于其卓越的能效表现。在10V驱动下，其导通电阻极低，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速的开关响应，帮助您提升整体频率和效率。无论是应对严苛的工业环境温度，还是需要稳定的长期运行，STULED625都能让您的设计信心倍增，轻松实现高性能与高可靠性的完美统一。

• 制造商产品型号：STULED625
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 5A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STULED625，ST（意法半导体）产品一站式供应商。