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您正在设计需要高效、可靠处理数百伏电压的电源或电机控制电路吗？STL7LN65K5AG正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的车规级N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和5A的电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机驱动、DC-DC转换等核心开关任务。

它的卓越之处在于，极低的导通电阻和栅极电荷为您带来了更低的功率损耗和更高的开关频率，从而显著提升整体系统效率。同时，其紧凑的PowerFlat VHV封装兼具出色的散热性能，让您在有限空间内也能实现强大的功率输出。选择它，就是为您的产品选择了高效、稳定与紧凑的完美平衡。

• 型号:STL7LN65K5AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT VHV
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:79W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL7LN65K5AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。