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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压侧功率开关，让系统运行更高效、更可靠的核心驱动器吗？TD352IN正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的高端单通道栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，拥有12V至26V的宽供电范围，能输出高达1.7A的强劲拉电流，确保您的功率器件实现快速、干净的开关，显著降低损耗与发热。

它让您轻松应对-40°C到150°C的严酷工作环境，其非反相输入与标准的逻辑电平兼容性，使得与微控制器的连接直截了当。无论是提升工业电机驱动的响应速度，还是强化开关电源的转换效率，TD352IN都能以卓越的稳定性和简洁的设计，助您构建更加强健的电源管理系统。

• 型号:TD352IN
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，1.7A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-DIP
• TD352IN，ST（意法半导体）产品一站式供应商。