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还在寻找那颗能平衡高性能与高可靠性的功率开关吗？STULED623正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和3A的电流处理能力，其核心魅力在于仅3.6欧姆的低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对各种严苛场景。优化的栅极特性让驱动设计更简单，实现快速开关以提升频率；高达150°C的结温工作能力和45W的功率耗散，则确保了其在恶劣环境下的稳定表现。选择STULED623，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且易于驾驭的“动力核心”。

• 制造商产品型号：STULED623
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 3A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STULED623，ST（意法半导体）产品一站式供应商。