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还在为寻找一颗既能承受大电流又足够小巧的功率开关而烦恼吗？STS8DNF3LL正是为您而来的解决方案。这颗双N沟道MOSFET拥有30V的耐压和8A的连续电流能力，其核心魅力在于STripFET II技术带来的超低导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用逻辑电平门驱动，可以直接由微控制器轻松操控，极大简化了您的驱动电路设计。同时，极低的栅极电荷确保了快速的开关性能，让您的设备响应更加敏捷。无论是用于电源转换、电机控制还是负载开关，它都能以紧凑的8-SOIC封装，为您的PCB布局节省宝贵空间，助力您打造出性能与体积俱佳的下一代产品。

• 型号:STS8DNF3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS8DNF3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。