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还在为高压应用中的开关损耗和热管理头疼吗？让STW7N105K5来为您解决！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的SuperMESH5技术，拥有1050V的高耐压和仅2欧姆的低导通电阻，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它高达4A的连续漏极电流承载能力和110W的功率耗散上限，配合TO-247封装优异的散热特性，为您应对高功率挑战提供了坚实的硬件基础。极低的栅极电荷和输入电容，让驱动设计变得更简单，开关速度更快，轻松提升系统整体响应与能效。选择它，就是为您的产品注入了高性能与高可靠性的双重基因。

• 型号:STW7N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW7N105K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。