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您正在寻找一颗能同时驾驭600V高压和数安培电流，且效率出众的功率开关吗？STU7NM60N正是为此而生。这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，旨在让您的电源转换和电机控制设计变得更简单、更高效。

它凭借仅900毫欧的低导通电阻，大幅降低导通损耗，直接提升系统整体能效。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关过程更快、损耗更小，使您能够轻松应对PFC、反激式转换器等中功率应用挑战。其坚固的IPAK通孔封装和宽泛的工作温度范围，确保了在各种环境下的长期稳定运行，是您打造可靠、高性能产品的理想选择。

• 型号:STU7NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU7NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。