我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB35N65DM2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时征服高压、大电流挑战，并保持超低损耗的功率开关吗？STB35N65DM2正是为您而来的解决方案。它基于ST意法半导体先进的MDmesh M2技术打造，拥有650V的坚固耐压和28A的连续电流处理能力，而其核心优势在于将110毫欧的超低导通电阻与仅54nC的栅极电荷巧妙结合。

这意味着，这颗芯片能让您的电源或电机驱动系统运行得异常“轻松”。它大幅降低了导通和开关过程中的能量损耗，直接提升整体能效，让设备更凉快、更节能。同时，快速的开关特性确保了精准的控制响应，无论是用于服务器电源、工业变频器还是太阳能逆变器，都能让您的产品性能脱颖而出，可靠性更上一层楼。

• 型号:STB35N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB35N65DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。