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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易驱动性的功率开关管吗？STD11N65M5正是为您而生的解决方案。它基于ST先进的MDmesh V技术，拥有650V的坚固耐压和9A的强大电流处理能力，让您在设计AC-DC电源、电机驱动或PFC电路时，能够轻松实现更高的功率密度和更优的能效表现。

这颗芯片的核心魅力在于其卓越的电气特性。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，而精心优化的栅极电荷（Qg）则确保了快速、干净的开关行为，让您的系统运行更高效、更凉爽。其采用坚固的DPAK封装，散热性能出色，结合150°C的高结温能力，为您产品的长期稳定运行提供了坚实保障。选择STD11N65M5，就是选择让复杂的设计变简单，让系统的性能更卓越。

• 型号:STD11N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 9A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD11N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。