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还在寻找一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的N沟道MOSFET吗？STU7NF25正是您的理想之选。它基于先进的STripFET II技术打造，拥有250V的漏源电压和8A的连续电流能力，其核心优势在于420毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松驾驭开关电源（SMPS）、电机控制、照明镇流器等应用。极低的栅极电荷（16nC）确保了快速的开关响应，减少开关损耗，从而提升整体系统效率。其坚固的I-PAK通孔封装和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），为您提供了应对各种挑战性环境的信心，是实现稳健、长效设计的强大基石。

• 型号:STU7NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:72W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU7NF25，ST（意法半导体）产品一站式供应商。