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您正在设计需要处理庞大电流的电源或电机驱动方案吗？STL150N3LLH5就是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的195A连续电流处理能力，而其导通电阻低至惊人的1.75毫欧，能极大降低开关过程中的功率损耗，直接提升系统整体能效，让您的设备运行更凉爽、更节能。

得益于仅4.5V的低驱动电压和极低的栅极电荷，它能实现快速、干净的开关动作，让您轻松优化驱动电路，提升开关频率。同时，其坚固的PowerFlat封装确保了出色的散热性能，即使在-55°C至150°C的严苛温度范围内也能稳定工作。选择它，就是为您的项目选择了一份高效与可靠并重的强大保障。

• 型号:STL150N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 195A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):195A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:114W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL150N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。