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您正在寻找一颗能同时兼顾高功率、高效率与高可靠性的“心脏”吗？STGP30H65F正是为您而来。这颗650V/60A的IGBT，集成了意法半导体先进的沟道和场截止技术，其核心使命就是让您的电源转换系统运行得更“冷静”、更高效。它能够轻松处理高达260W的功率，并以低至2.4V的导通压降和优化的开关特性，显著降低能量损耗，直接提升整机效率。

这意味着，无论是驱动电机、转换太阳能，还是保障关键设备供电，STGP30H65F都能以卓越的性能，确保能量流畅、稳定地传输。它采用坚固可靠的TO-220封装，让散热设计更简单，安装更便捷。选择它，就是为您的产品选择了一个经久耐用、表现卓越的动力核心，助您轻松应对各种严苛应用挑战，赢得市场先机。

• 型号:STGP30H65F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:260 W
• 开关能量:350J（导通），400J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:105 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/160ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP30H65F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。