STGP30H65F（ST 意法半导体，单路IGBT，TO-220）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

ST意法半导体公司完整型号：STGP30H65F

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 60A 260W TO-220AB

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.4V @ 15V，30A

功率 - 最大值：260W

Switching Energy：350μJ （开）， 400μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：105nC

25°C 时 Td（开/关）值：50ns/160ns

Test Condition：400V, 30A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-220-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220

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基本参数：

电子零件型号：STGP30H65F

原始制造厂商：ST（意法半导体）

技术标准参数：IGBT 650V 60A 260W TO-220AB

产品应用分类：单路IGBT

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