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还在为寻找一颗能在高压下高效开关、同时兼顾可靠性与成本的功率器件而烦恼吗？STU7N80K5正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和6A的连续电流能力，专为要求苛刻的功率转换场景而生。

它的核心价值在于让您的设计事半功倍。凭借先进的SuperMESH5技术，它实现了极低的导通电阻和栅极电荷，这意味着它能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升系统效率，并减少散热设计压力。无论是用于开关电源、电机控制还是照明驱动，它都能让您的产品运行更凉爽、更高效、更可靠。

选择STU7N80K5，就是选择了一份从容。其宽泛的工作温度范围和稳健的I-PAK封装，确保它在各种环境下都能稳定发挥。您将轻松获得更高的功率密度、更简化的电路设计以及更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:STU7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU7N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。