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还在寻找一颗能兼顾大容量、高速度与低功耗的可靠存储芯片吗？NAND512R3A2AZA6E正是为您而来的解决方案。这颗由ST意法半导体打造的512Mb NAND闪存，采用高效的并行接口，能以低至60ns的页写入和访问时间，让您的系统实现快速数据读写，大幅提升整体响应效率。

它能在1.7V至1.95V的宽电压范围内稳定运行，显著降低系统功耗，延长电池供电设备的续航。同时，其宽广的-40°C ~ 85°C工作温度范围，让您的产品无惧严寒酷暑，适应从工业控制到消费电子的各种复杂环境。选择它，就是为您的产品嵌入一颗强劲、可靠且高效的数据存储核心。

• 型号:NAND512R3A2AZA6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:55-VFBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 55VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:60 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:55-TFBGA
• 供应商器件封装:55-VFBGA（8x10）
• NAND512R3A2AZA6E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。