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还在寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的“全能型”功率开关吗？STF12N50DM2正是为您而来。这颗基于先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和11A的强大电流处理能力，其核心魅力在于超低的导通电阻（Rds(on)），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更节能。

它不仅仅是一个开关，更是您提升系统可靠性的关键。优化的栅极电荷和电容特性，让您能够轻松实现快速、干净的开关动作，从而简化驱动电路设计，提升整体效率。无论是用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机控制，STF12N50DM2都能让您以更少的散热顾虑和更高的功率密度，自信地应对设计挑战，高效达成性能目标。

• 型号:STF12N50DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:628 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12N50DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。