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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的600V级功率开关吗？STU7N60M2正是为您而来！这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，旨在让您的电源设计更高效、更紧凑。

它拥有600V的漏源电压和5A的连续电流能力，配合低至950毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，提升整体能效。同时，其优化的栅极电荷和电容特性，让开关过程更快、更干净，从而减少发热，让您的系统运行更凉爽、更稳定。无论是用于开关电源、照明驱动还是电机控制，它都能让您轻松应对各种中功率应用挑战。

• 型号:STU7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU7N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。