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您正在为高压、高功率的应用寻找一颗性能强悍且可靠的心脏吗？STFW8N120K5正是为您而来！这颗来自意法半导体MDmesh K5系列的N沟道高压MOSFET，拥有1200V的惊人耐压和6A的持续电流能力，专为应对严苛的功率挑战而设计。

它能为您做什么？它能让您的电源转换效率大幅提升。凭借其低至2欧姆的导通电阻和优化的动态特性，它能显著降低开关和导通损耗，让系统运行更凉爽、更节能。无论是驱动工业电机、构建太阳能逆变器，还是打造可靠的UPS电源，STFW8N120K5都能提供稳定、高效的功率开关解决方案，让您的设计轻松应对高压环境，实现性能与可靠性的双重飞跃。

• 型号:STFW8N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO3PF
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:505 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW8N120K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。