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还在寻找能够扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STU75N3LLH6-S N沟道MOSFET就是您的高效答案。它集成了ST先进的DeepGATE技术，旨在让您的电源转换和电机控制应用运行得更冷静、更高效。

这颗芯片能轻松驾驭高达75A的连续电流，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少导通状态下的功率损耗，直接提升系统整体能效。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速开关，帮助您降低开关损耗，实现更高频率的设计。无论是用于构建高效的同步整流电路，还是驱动强劲的直流电机，它都能提供稳定可靠的性能，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借优异的能效表现脱颖而出。

• 型号:STU75N3LLH6-S
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.9 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU75N3LLH6-S，ST（意法半导体）产品一站式供应商。