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还在为高压半桥驱动的设计与可靠性担忧吗？让L6385D为您化繁为简！这颗来自ST意法半导体的高压半桥栅极驱动器，专为驱动IGBT和MOSFET而优化，能轻松应对高达600V的自举电压，是您构建伺服驱动、工业变频器等高性能系统的得力助手。

它集成了两个独立通道，提供400mA灌电流和650mA拉电流的强劲驱动能力，结合极短的开关时间（典型值50ns/30ns），确保功率器件高效、精准地开关，显著降低损耗，提升整体能效。其宽泛的工作温度范围（-40°C ~ 150°C TJ）和反相输入逻辑，更进一步保障了系统在恶劣环境下的稳定与安全，让您的设计既高效又省心。

• 型号:L6385D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6385D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。