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您正在设计需要强大动力和高效能转换的电源或电机驱动方案吗？STB11NM60-1 N沟道MOSFET就是您理想的功率开关核心。它拥有650V的高耐压和11A的连续电流能力，结合ST独有的MDmesh技术，能显著降低导通电阻和开关损耗，让您的系统效率更高，发热更少。

这颗芯片能轻松应对开关电源、PFC电路、照明镇流器等应用中的高压切换任务。其优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关动作，让您的设计更容易控制，系统运行更稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入了高效与耐用的基因。

• 型号:STB11NM60-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB11NM60-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。