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您正在寻找一颗能扛起大电流、压得住开关损耗的功率开关吗？STU60N55F3正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有55V耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心使命就是让您的电源转换和电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

凭借STripFET III先进技术，它在10V驱动下导通电阻低至8.5毫欧，能显著减少导通状态的能量损耗，直接提升系统整体效率。同时，优化的动态参数让开关过程快速而干净，进一步降低开关损耗。宽广的工作温度范围和坚固的I-PAK通孔封装，更能确保它在各种挑战性环境中稳定可靠地工作，让您的设计无后顾之忧。

• 型号:STU60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU60N55F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。