我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF12NM65现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压应用中的功率损耗和散热问题头疼吗？让STF12NM65来为您分忧！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，专为高效、可靠的功率转换而设计。

它拥有650V的高耐压和11A的强电流处理能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或UPS系统时，能轻松实现更低的导通损耗和更优的开关性能。这不仅意味着更高的系统效率，还能有效降低温升，提升整体可靠性。

采用坚固的TO-220FP通孔封装，散热表现优异，安装便捷。选择STF12NM65，就是为您的核心电路选择了一颗强劲、冷静且值得信赖的“动力芯”，助您高效攻克高压功率设计挑战。

• 制造商产品型号：STF12NM65
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V TO220FP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220FP
• STF12NM65，ST（意法半导体）产品一站式供应商。