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还在为高压电路的开关损耗和散热问题头疼吗？让STU3N65M6来为您分忧！这颗来自意法半导体MDmesh M6家族的N沟道MOSFET，是专为高效功率转换而生的核心器件。它能轻松胜任650V高压下的开关任务，通过仅1.5欧姆的低导通电阻和极低的栅极电荷，大幅降低您的系统导通损耗与驱动损耗，直接提升整体能效。

这意味着，在您的开关电源、电机控制或LED照明驱动设计中，STU3N65M6能让电源运行更凉爽、更稳定，同时简化您的热管理设计。其坚固的IPAK通孔封装和宽广的工作温度范围，更能确保它在各种应用环境中持久可靠地工作，是您打造高效、紧凑、耐用功率产品的理想选择。

• 制造商产品型号：STU3N65M6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 3.5A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M6
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.5 欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：150pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU3N65M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。