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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的核心功率开关吗？STD100NH03LT4正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达60A的连续电流承载能力，其核心魅力在于惊人的5.5毫欧超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率更高，发热更少。

它基于成熟的STripFET III技术，具备优异的开关特性。优化的栅极电荷和电容参数，让您能够轻松实现高效、快速的开关控制，从而提升系统整体响应速度与功率密度。无论是用于DC-DC转换器、电机桥臂还是负载开关，STD100NH03LT4都能以稳定可靠的性能，助您构建更加强劲、紧凑且节能的电子系统。

• 型号:STD100NH03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:77 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD100NH03LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。