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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STFI13NM60N为您带来改变。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和11A的电流处理能力，其核心价值在于极低的360毫欧导通电阻，能显著降低功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体能效，让热量更少，运行更稳定可靠。

它专为要求严苛的开关应用而优化，出色的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更加迅速、干净，从而减少开关损耗，进一步提升效率。其坚固的I2PAKFP通孔封装确保了卓越的散热性能，即使在高功率密度设计中也能游刃有余。选择它，就是选择了一个久经考验的高性能解决方案，让您的产品在能效和可靠性上轻松赢得竞争优势。

• 型号:STFI13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI13NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。