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您是否正在寻找一颗能在高压应用中兼顾高效与可靠的“强力心脏”？STU2N62K3正是您的理想之选。这颗基于先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和2.2A的电流能力，能轻松驾驭开关电源、电机驱动等场景中的严苛挑战。

它的核心价值在于卓越的性能平衡。仅3.6欧姆的低导通电阻能显著减少传导损耗，而优化的栅极电荷则确保了快速、干净的开关行为，从而全面提升系统效率。无论是提升现有产品的能效等级，还是为创新设计注入强大动力，STU2N62K3都能让您事半功倍，高效实现设计目标。

• 型号:STU2N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU2N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。