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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效，为电源和电机驱动注入强劲动力的核心开关器件吗？STP11NM60FP正是为此而生。它基于ST先进的MDmesh技术，拥有600V的高耐压和11A的连续电流处理能力，让您在设计反激电源、电机控制器或PFC电路时，轻松应对高压环境，同时凭借其低导通电阻和优化的动态特性，显著降低功率损耗，提升整体系统能效。

这颗MOSFET的卓越性能直接转化为您的产品优势：更低的温升意味着更高的可靠性，更快的开关速度让您能设计出频率更高、体积更小的电源。其坚固的TO-220FP封装确保了出色的散热能力，让您的设备在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定运行。选择它，就是为您的功率应用选择了一个久经考验、高效可靠的能量开关解决方案。

• 型号:STP11NM60FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP11NM60FP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。